WAYON Electronics, Hersteller von Überspannungsschutzkomponenten und Leistungstransistoren mit Sitz in Shanghai stellt seine neue C4 SuperJunction Mosfet Familie vor. Mit der dritten Entwicklungsstufe seiner 700V C4 Mosfets konnte WAYON durch die Reduzierung des RDS(ON) pro Flächeneinheit und die Reduktion der Gate-Ladung einen weiteren Schritt in Richtung höherer Leistungsdichte und verbesserter Schaltperformance gehen. Aus dem niedrigen RDS(ON) resultieren reduzierte Leitendverluste und höhere Effizienzwerte, insbesondere bei Anwendungen, die bei niedrigen Eingangsspannungen in Volllast betrieben werden. Durch die Optimierung der Gate-Ladung QG konnte die dynamische Leistungscharakteristik hinsichtlich Schaltverlusten und Ansteuerleistung gegenüber der Vorgängergeneration ebenfalls signifikant verbessert werden. Derzeit umfasst das Portfolio Sperrspannungen von 700V mit Kanalwiderständen von 0,3 Ω bis 1, 14 Ω in SMD- und THT-Industriestandardgehäusen. Die C4 Mosfet Familie wird in Zukunft mit weiteren Spannungsklassen und Gehäusevarianten ausgebaut.
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