650V E-Mode GaN-Mosfet von WAYON ELECTRONICS
Breaking News:
Wochenrückblick KW 14-2026: Hoffnung, Schock, Realität: Volatilität bleibt Programm
Redwood AI greift eine der größten medizinischen Herausforderungen unserer Zeit an
Durchhaltevermögen: Die innere Kraft, die über Erfolg entscheidet
Stubenreinheit bei Katzen: So gewöhnst du deine Katze stressfrei an die Katzentoilette
Montag, Apr. 6, 2026
Si-Transistoren stoßen durch die Forderung nach höheren Wirkungsgraden und größerer Leistungsdichte zunehmend an ihre physikalischen Grenzen. WAYON kann mit dem eingesetzten Wide-Bandgap Material mit seinen niedrigen parasitären Eigenschaften und den daraus resultierenden niedrigen statischen und dynamischen Verlusten, sowie dem geringen Temperatureinfluss auf die Bauteilparameter diesen Anforderungen entsprechen. Die Bauteileverfügbarkeit und Herstellungskosten sind durch Ausnutzung von Volumeneffekten durch Verwendung geeigneter Substratmaterialien auf sehr wettbewerbsfähigem Niveau.
WAYON startet die Familie mit drei 650V-Typen mit Kanalwiderständen von 450mOhm, 225mOhm und 150mOhm im platzsparenden PDFN5060-8L Gehäusen. Zur Design-in Unterstützung sind verschiedene Evaluation-Boards auf Anfrage erhältlich.
Für weitere Informationen kontaktieren Sie bitte TRS-STAR unter info@trs-star.com.
TRS-STAR GmbH
Werner von Siemens Straße 1
76297 Stutensee
Telefon: +49 (7249) 95222-0
Telefax: +49 (7249) 95222-199
http://www.trs-star.com
![]()